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前情回顧：
第一期：松下MOSFET驅(qū)動(dòng)器——可實(shí)現(xiàn)高輸出電壓和高速操作！
在上一篇文章中我們概述了“MOSFET驅(qū)動(dòng)器”。作為產(chǎn)業(yè)設(shè)備、信息基礎(chǔ)設(shè)施、蓄電系統(tǒng)、汽車等用途中主流的Si-MOSFET和SiC-MOSFET，為了適應(yīng)行業(yè)需求，松下推出“高輸出電壓”和“高速操作”MOSFET驅(qū)動(dòng)器。
在本文中，我們將介紹實(shí)現(xiàn)“高輸出電壓”解決方案。
話不多說(shuō)，
接下來(lái)小編帶您一探究竟！
希望通過在柵源之間施加高電壓 (Vgs) 來(lái)降低MOSFET的導(dǎo)通電阻 雖然主流的SiC-MOSFET的輸出特性極具優(yōu)勢(shì)，但是需要使用2顆以往通用的MOSFET驅(qū)動(dòng)器才能充分降低導(dǎo)通電阻，這會(huì)導(dǎo)致電路板的占板面積大的問題。 解決方案：松下的新MOSFET驅(qū)動(dòng)器可實(shí)現(xiàn)! Vgs=Typ.18 V可輸入，可以充分降低SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻! 松下的新MOSFET驅(qū)動(dòng)器，只需一顆就可以充分降低SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻! 在使用SiC等希望施加高門電壓的MOSFET時(shí)，松下的MOSFET驅(qū)動(dòng)器高輸出電壓類型可放心使用。
